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IXTP01N100D中文资料

IXTP01N100D图片

IXTP01N100D外观图

  • 大小:95KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:耗尽模式
  • 漏极至源极电压(Vdss):1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:100mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:110 欧姆 @ 50mA,0V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:120pF @ 25V
  • 功率 - 最大:1.1W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220
  • 包装:管件
  • 其它名称:Q1614635

IXTP01N100D供应商

更新时间:2023-01-07 00:21:00
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